SERVICE

実績

車載向けを中心に、次世代パワー半導体デバイスを利用した小型・高効率な電力変換回路の設計・開発サービスを提供しています。

20 kWインバータ

650V,60A GaNパワーデバイスを多並列化し、20 kW出力可能な三相インバータを構成しました。
世界で初めてGaNデバイスによる車両走行テストを実証しています。

6.6 kW 車載充電器

AC/DCおよびDC/DCステージに650V GaNデバイスをそれぞれ採用し、高周波化による小型化(パワー密度2.0kW/L)と高い変換効率96%を実現しています。

2.5 kW補機DC/DC

650Vおよび100VのGaNパワーデバイスを採用し、高周波化による高いパワー密度10 kW/Lを達成しました。

※これら回路は、環境省プロジェクト（2017～2022, ALL GaN VEHICLE プロジェクト）の中で実証したものです。

変換回路の小型・高効率化

SiC MOSFET/GaN HEMTに代表される次世代半導体パワーデバイスは、従来のSi材料を用いたパワーデバイスに比べて高速性・低オン抵抗性に優れ、電力変換回路のサイズ・効率性能を向上させます。

デバイス性能を活かす回路設計・制御技術

これらSiC/GaNデバイスがもつ高速性能は、回路の小型化に寄与する一方で、回路動作に問題(電圧サージ、ご点弧、ノイズ悪化)を引き起こすことが知られています。我々は，これらデバイスを利用した回路開発を通じて、この問題を抑制し、デバイスが有する性能を、回路・システムの小型・高効率化へ転化する回路設計・制御技術を培ってまいりました。